| 类型 | 描述 |
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| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.32Ω @-1A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE 4V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型 4V栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
Toshiba（东芝）
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