| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.1A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.031Ω @-500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8V--1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| High Speed Switching Applications • 4V drive • Low on-resistance: Ron = 790mΩ (max) (@VGS = −4 V) Ron = 390mΩ (max) (@VGS = −10 V) 描述与应用| 高速开关应用 •4V驱动器 •低导通电阻RON =790mΩ（最大）（@ VGS=-4 V） 罗恩=390mΩ（最大）（@ VGS=10V）
Toshiba（东芝）
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SSM3J112TU P沟道MOS场效应管 -30V -1.1A 0.031ohm SOT-323 marking/标记 JJ5 高速开关 4V驱动 低导通电阻
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