| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-252 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 900 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1A |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 900V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | ±30V 最大漏极电流IdDrain Current | 1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 8.0Ω~9.0Ω (VGS=10 V,ID=0.5A) 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 耗散功率PdPower Dissipation | 40W Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSIII). Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive. Applications.
Toshiba（东芝）
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