| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHZ 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.2~0.4 耗散功率PcPower Dissipation | 1W Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) .
● High Current Switching Applications
● DC-DC Converter Applications
● Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 3 A)
● High speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) 描述与应用 | TOSHIBA晶体管的硅NPN外延式（PCT程序）。
●高电流开关应用
● DC-DC转换器应用
●低集电极饱和电压VCE（sat）=0.4 V（最大值）（IC=3A）
●高速开关时间：TSTG=1.0微秒（典型值）
Toshiba（东芝）
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