| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 120 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 最小电流放大倍数 | 180 |
| 最大电流放大倍数 | 560 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-voltage Amplifier Transistor High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S 描述与应用 | 高电压晶体管放大器 高击穿电压（BVCEO= 120V） 与2SA1579/2SA1514K/2SA1038S互补
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