集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 140~280 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 190mV/0.19V 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type darlington high current switching amplification Features
● large current capacity and wide ASO
● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
● fast switch speed
● adoption of FBET,MBIT processes 描述与应用| NPN硅外延平面型达林顿 高电流开关放大 特点
●大电流容量,广ASO
●低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT)
●开关速度快
●采用的FBET,MBIT进程
Sanyo Semiconductor(三洋)
7 页 / 0.34 MByte
Sanyo Semiconductor(三洋)
4 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管-50V , -3A ,低VCEsat晶体管, PNP , NPN单PCP Bipolar Transistor -50V, -3A, Low VCEsat, PNP,NPN Single PCP
Mitsubishi(三菱)
2SD1624 NPN三极管 60V 3A 150MHz 190mV/0.19V SOT-89 marking/标记 DG 高电流开关放大
Micro Commercial Components(美微科)
ON Semiconductor(安森美)
通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件