类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 80 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 160 V |
额定电流 | 1.50 A |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-Channel, NPN |
功耗 | 1 W |
增益频宽积 | 80 MHz |
击穿电压(集电极-发射极) | 160 V |
集电极最大允许电流 | 1.5A |
最小电流放大倍数 | 120 |
最大电流放大倍数 | 120 @0.1A, 5V |
额定功率(Max) | 10 W |
直流电流增益(hFE) | 120 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 5.8 mm |
高度 | 2.5 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor Features
● High breakdown voltage.(BVCEO = 160V)
● Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V)
● High transition frequency.(fT = 80MHZ)
● Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用| 功率晶体管 特点
●高击穿电压(BVCEO=160V)。
●低集电极输出电容。 (典型值20pF的VCB=10V)
●高转换频率(FT =80MHZ)。
●补充2SB1275/2SB1236A的。
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
功率晶体管( 160V , 1.5A ) Power Transistor (160V , 1.5A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管
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