| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 20.0 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | SC-72 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 820 @10mA, 3V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 20 V 500 mA 350MHz 300 mW 通孔 SPT
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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高电流增益MediumPower晶体管（ 20V ， 0.5A ） High-current Gain MediumPower Transistor (20V, 0.5A)
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高电流增益中等功率晶体管（ 20V ， 0.5A ） High-current Gain Medium Power Transistor (20V, 0.5A)
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