| 类型 | 描述 |
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| 封装 | PW-MINI |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1A |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Bulk |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.55Ω @500mA,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.8--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA field effect transistor silicon p channel MOS type high speed,high current switching applications chopper regulator,DC-DC converter and motor drive applications 4-V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode 描述与应用| 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速，高电流开关应用 削波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 4-V栅极驱动器 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
Toshiba（东芝）
6 页 / 0.26 MByte
Toshiba（东芝）
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