STF6N65K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道650 V， 1.1欧姆（典型值）， 5.4 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ，我PAKFP ， IPAK N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK
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STF6N65K3 数据手册 (16 页)

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STF6N65K3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
极性	N-CH
功耗	30 W
输入电容	880 pF
漏源极电压(Vds)	650 V
连续漏极电流(Ids)	5.4A
上升时间	10 ns
输入电容值(Ciss)	880pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	30 W
下降时间	24 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	30W (Tc)

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STF6N65K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	150℃ (TJ)

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STF6N65K3 符合标准

STF6N65K3 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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