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IXGH48N60C3D1
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IXGH48N60C3D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:IXGH48N60C3D1 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
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IXGH48N60C3D1 数据手册 (4 页)
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IXGH48N60C3D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗300000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)300 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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IXGH48N60C3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGH48N60C3D1 数据手册

IXGH48N60C3D1 数据手册
IXYS Semiconductor
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