最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -200V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流IdDrain Current | -2.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 1.6~2.0Ω @VGS=−10V, ID=−1.5A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | Vth =−1.5to−3.5V (VDS =−10V,ID =−1 mA) 耗散功率PdPower Dissipation | 20W Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (π-MOSV). Switching Applications. Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications.
●Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 Ω (typ.).
● High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.).
● Low leakage current: IDSS = −100 μA (max) (VDS = −200 V).
● Enhancement model: Vth = −1.5 to −3.5 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA). 描述与应用 | 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（π-MOSV）。 切换应用程序。 斩波稳压器，DC/ DC转换器 电机驱动应用。
●低漏源导通电阻RDS（ON）= 1.6Ω（典型值）。
●较强的正向转移导纳：YFS|=2.0 S（典型值）。
●低漏电流IDSS=-100μA（最大值）（VDS= -200 V）。
●增强模式：VTH=-1.5〜-3.5 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）。
