| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 20Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 100mW/0.1W Description & Applications| 东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装 描述与应用| 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
Toshiba（东芝）
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