| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-143 |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 13V \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -6V 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 8.5mA-35mA 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Frequency FETs.GaAs N-Channel MES FET.For VHF-UHF amplification.Features: . Low noise-figure (NF). Large power gain PG. Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. 描述与应用| 高频场效应管 .砷化镓N沟道MES 场效应管. 用于甚高频-超高频放大, 低噪声系数（NF）, 大功率增益PG, 迷你型包装，通过带/盒包装允许缩减集的大小和自动插入.
Panasonic（松下）
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