| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 500 V |
| 额定电流 | 47.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 520 W |
| 输入电容 | 8.90 nF |
| 栅电荷 | 470 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 47.0 A |
| 上升时间 | 16 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 7400pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 520000 mW |
Microsemi（美高森美）
4 页 / 0.04 MByte
Microsemi（美高森美）
5 页 / 0.23 MByte
Microsemi（美高森美）
ISOTOP升压斩波MOSFET功率模块 ISOTOP Boost chopper MOSFET Power Module
Microsemi（美高森美）
ISOTOP降压斩波MOSFET功率模块 ISOTOP Buck chopper MOSFET Power Module
Microsemi（美高森美）
功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
Microsemi（美高森美）
功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
Microsemi（美高森美）
ISOTOP降压斩波MOSFET功率模块 ISOTOP Buck chopper MOSFET Power Module
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
