BCP56 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 130MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 63~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.33W Description & Applications| NPN medium power transistor FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Switching. 描述与应用| NPN中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •开关。