| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 频率 | 3 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 32.0 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-126-3 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 36 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 32 V |
| 集电极最大允许电流 | 4A |
| 最小电流放大倍数 | 85 @500mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 36 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 36000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Bulk |
| 材质 | Silicon |
| 宽度 | 2.66 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS BD435 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 140 hFE
ON Semiconductor（安森美）
塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor
CJ（长电科技）
三极管(晶体管) BD435 TO-126 85-375
Fairchild（飞兆/仙童）
中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications
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