| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-343 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200 mW |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 7V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 最大漏极电流Id Drain Current | 30MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | n沟道双栅MOS-FETs
●短通道晶体管高转移导纳输入电容率
●低噪声增益控制放大器1 GHz
●部分内部自给偏压电路,以确保良好的交叉调制在AGC和良好的性能直流稳定。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs
Global Connector Technology
NXP（恩智浦）
BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
NXP（恩智浦）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW
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