| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-143 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 7V 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声，高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V
Infineon（英飞凌）
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