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SI4435DY 数据手册 (11 页)
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SI4435DY 技术参数、封装参数

SI4435DY 外形尺寸、物理参数、其它

SI4435DY 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.66 MByte

SI4435 数据手册

VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI4435DYTRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新
VISHAY(威世)
-30V,-11.4A,P沟道MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4435DY.  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4435DDY-T1-GE3  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SI4435DYPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V
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