| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.09 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 278 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 37.9A |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2660pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 278 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 278W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.65 mm |
| 宽度 | 4.9 mm |
| 高度 | 16.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099CPXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP60R099C6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
Infineon（英飞凌）
600V,37.9A,99mΩ,N沟道功率MOSFET
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的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor
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