最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 30v 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--2.2 耗散功率Pd Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| N-channel silicon junction field-effect transistors N-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package. Features and benefits Low leakage level (typ. 500 fA) High gain Low cut-off voltage (max. 2.2 V for BF545A). 描述与应用| 硅N沟道结型场效应晶体管 对称N沟道硅结型场效应晶体管采用SOT23封装 低漏级（典型值500 FA） 高增益 低截止电压（最大2.2 V BF545A）
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N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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NXP BF545B 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET
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NXP BF545C,215. 射频场效应管, JFET, N沟道, 30V, 25mA, 3-SOT-23
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BF545A N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 MG5 低噪声增益控制放大器
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BF545C N沟道MOSFET 30V 10mA SOT-23/SC-59 marking/标记 M67 低噪声增益控制放大器
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N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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