BF620 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V

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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V

●耗散功率PcPower Dissipation| 1.25W

●Description & Applications| NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Video output stages. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements: BF621 and BF623.

●描述与应用| NPN高压晶体管 特点 •低电流（最大50毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •视频输出阶段。 说明 NPN高压晶体管在SOT89塑料包装。 PNP补充：BF621和BF623。