| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236 |
| 最小电流放大倍数 | 50 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 250V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 250V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN high-voltage transistors FEATURES • Low current (max. 50 mA) • High voltage (max. 300 V). APPLICATIONS • Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT23 plastic package. PNP complements: BF821; BF823. 描述与应用| NPN高压晶体管 特点 •低电流（最大50毫安） •高电压（最大300 V）。 应用 •专业的电话和通信设备。 说明 NPN高压晶体管在SOT23塑料包装。 PNP补充：BF821 BF823。
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