| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-253-4 |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 15 V |
| 最小电流放大倍数 | 60 @20mA, 6V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 175℃ (TJ) |
RF 晶体管 NPN 15V 70mA 9GHz 300mW 表面贴装型 SOT-143B
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
NXP BFG520 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
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NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
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NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
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NXP BFG520W/X,115 射频晶体管, NPN
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NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistors
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射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz
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