| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 900 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323 |
| 额定功率 | 0.58 W |
| 功耗 | 580 mW |
| 输入电容 | 1.8 pF |
| 最小电流放大倍数 | 70 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 580 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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