| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 65000 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 2.30 V |
| 额定电流 | 80.0 mA |
| 封装 | SOT-343-4 |
| 功耗 | 0.185 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 2.8 V |
| 增益 | 21 dB |
| 最小电流放大倍数 | 110 @50mA, 1.5V |
| 额定功率(Max) | 185 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1.4 mm |
| 宽度 | 0.8 mm |
| 高度 | 0.55 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
RF 晶体管 NPN 2.8V 80mA 65GHz 185mW 表面贴装型 4-TSFP
Infineon（英飞凌）
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BFP620 NPN三极管 20V 80mA 65GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 AC 高增益低噪声RF晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP620H7764XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BFP620FH7764XTSA1 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=7.5 V, HFE:110, 4引脚 TSFP封装
Infineon（英飞凌）
SiGe 射频双极晶体管，Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFP 620 H7764 晶体管 双极-射频, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE
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NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon（英飞凌）
射频(RF)双极晶体管 GP BJT NPN 2.3V 0.08A
Infineon（英飞凌）
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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