集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 80mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 580mW/0.58W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz 描述与应用| NPN硅RF晶体管 低噪声，高增益放大器高达2 GHz 对于线性宽带放大器 T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.6 MByte
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.08 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor
Infineon（英飞凌）
Infineon### 双极晶体管，Infineon
Infineon（英飞凌）
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
