集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 2.5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 20~150 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation | 280mW/0.28W Description & Applications | NPN Silicon RF Transistor For broadband amplifiers up to 1 GHz at collector currents from 1 mA to 20 mA 描述与应用 | NPN硅RF晶体管 对于宽带放大器高达1 GHz的集电极电流从1 mA到20 mA
Infineon（英飞凌）
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NXP（恩智浦）
NXP BFS17 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 1 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
BFS17 NPN三极管 25V 50mA 1GHz 20~150 SOT-23/SC-59/SMT3 marking/标记 GMA 混频器和TV调谐器
Micro Commercial Components（美微科）
Vishay Semiconductor（威世）
硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF Transistor
Siemens Semiconductor（西门子）
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