Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > NXP（恩智浦） > BLT80,115 Datasheet 文档
BLT80,115
来自 AiPCBA

BLT80,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:双极性晶体管
封装:TO-261-4
PDF文件:BLT80,115 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BLT80,115 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BLT80,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-261-4
极性NPN
功耗2 W
输出功率0.8 W
击穿电压(集电极-发射极)10 V
最小电流放大倍数25 @150mA, 5V
额定功率(Max)2 W
直流电流增益(hFE)25
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2000 mW
查看数据手册 >

BLT80,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度175℃ (TJ)
查看数据手册 >

BLT80,115 数据手册

BLT80,115 数据手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.08 MByte
BLT80,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
26 页 / 0.29 MByte
BLT80,115 开发手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.58 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet