类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 250 mA |
封装 | TO-92-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 4.5 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 350 mW |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 60pF @25V |
漏源极电压(Vds) | 200 V |
漏源击穿电压 | 200 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 250 mA |
输入电容值(Ciss) | 60pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 350 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350mW (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.45 mm |
高度 | 4.32 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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小信号MOSFET 250毫安, 200伏 Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BS107ARL1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92
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