| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 650 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 25.0 V |
| 额定电流 | 50.0 mA |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 功耗 | 225 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 25 V |
| 最小电流放大倍数 | 60 @4mA, 10V |
| 最大电流放大倍数 | 60 @4mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 225 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 225 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.93 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 350mW/0.35W Description & Applications | NPN RF Transistor This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100 µA to 10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers. Sourced from Process 47. 描述与应用 | NPN RF晶体管 该设备是专为共发射极低噪声放大器 和混频器的应用程序与集电极电流在100μA 10 mA范围300 MHz和低频漂移共基 VHF振荡器的应用程序用于驱动具有高输出电平 FET混频器。
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.12 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.23 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.04 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
