| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TDSON-8 |
| 额定功率 | 156 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0029 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 156 W |
| 阈值电压 | 3.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4400pF @37.5V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 156W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.9 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 1.27 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-7
Infineon（英飞凌）
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37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
7 页 / 0.07 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC036NE7NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSC036NE7NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 75 V, 0.0029 ohm, 10 V, 3.1 V
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