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IXGH60N60C3D1
来自 AiPCBA

IXGH60N60C3D1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:IXGH 系列 600 Vce 75 A 21 ns t(on) 1.7 Vce(sat) IGBT - TO-247 AD
PDF文件:IXGH60N60C3D1 数据手册 (4 页)
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IXGH60N60C3D1 数据手册 (4 页)
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IXGH60N60C3D1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗380 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间25 ns
额定功率(Max)380 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380 W
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IXGH60N60C3D1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.26 mm
宽度5.3 mm
高度21.46 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGH60N60C3D1 数据手册

IXGH60N60C3D1 数据手册
IXYS Semiconductor
4 页 / 0.82 MByte
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7 页 / 0.23 MByte

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