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IXTP75N10P
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IXTP75N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
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IXTP75N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.025 Ω
极性N-Channel
功耗360 W
阈值电压5.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)75.0 A
上升时间53 ns
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360000 mW
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IXTP75N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IXTP75N10P 数据手册

IXTP75N10P 数据手册
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IXTP75N10 数据手册

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IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
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