Datasheet 搜索 > MOS管 > IXYS Semiconductor > IXTP75N10P Datasheet 文档
IXTP75N10P
来自 AiPCBA

IXTP75N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
PDF文件:IXTP75N10P 数据手册 (5 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IXTP75N10P 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IXTP75N10P 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.025 Ω
极性N-Channel
功耗360 W
阈值电压5.5 V
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)75.0 A
上升时间53 ns
输入电容值(Ciss)2250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)360 W
下降时间45 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360000 mW
查看数据手册 >

IXTP75N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IXTP75N10P 数据手册

IXTP75N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.24 MByte
IXTP75N10P 其他数据使用手册
IXYS Semiconductor
20 页 / 2.6 MByte

IXTP75N10 数据手册

IXTP75N10P 数据手册
IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet