BSC082N10LS G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	PowerTDFN-8
描述:	INFINEON BSC082N10LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
PDF文件:	BSC082N10LS G 数据手册 (10 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

BSC082N10LS G 数据手册 (10 页)

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BSC082N10LS G 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	PowerTDFN-8
针脚数	8 Position
漏源极电阻	0.0068 Ω
极性	N-Channel
功耗	156 W
阈值电压	1.85 V
漏源极电压(Vds)	100 V
上升时间	24 ns
输入电容值(Ciss)	7400pF @50V(Vds)
额定功率(Max)	156 W
下降时间	12 ns
工作温度(Max)	150 ℃

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BSC082N10LS G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	5.9 mm
宽度	5.15 mm
高度	1.27 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃

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BSC082N10LS G 符合标准

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