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BSC082N10LSGATMA1
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BSC082N10LSGATMA1 数据手册 (10 页)
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BSC082N10LSGATMA1 技术参数、封装参数

BSC082N10LSGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

BSC082N10LSGATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.65 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
58 页 / 1.14 MByte
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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BSC082N10 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC082N10LSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC082N10LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。
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