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IPP029N06NAKSA1
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IPP029N06NAKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
PDF文件:IPP029N06NAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP029N06NAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP029N06NAKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率136 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0027 Ω
极性N-Channel
功耗136 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)4100pF @30V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3000 mW
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IPP029N06NAKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP029N06NAKSA1 数据手册

IPP029N06NAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.81 MByte
IPP029N06NAKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP029N06NAKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP029N06NAKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPP029N06NAKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

IPP029N06 数据手册

IPP029N06NAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP029N06NAKSA1, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
IPP029N06N 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP029N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V
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