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IPD025N06NATMA1
来自 AiPCBA

IPD025N06NATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:INFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:IPD025N06NATMA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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IPD025N06NATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD025N06NATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
额定功率167 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0021 Ω
极性N-Channel
功耗167 W
阈值电压2.8 V
输入电容5200 pF
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)90A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)5200pF @30V(Vds)
下降时间12 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 167W (Tc)
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IPD025N06NATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.73 mm
宽度6.22 mm
高度2.41 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD025N06NATMA1 数据手册

IPD025N06NATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.6 MByte
IPD025N06NATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD025N06NATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD025N06NATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPD025N06NATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.19 MByte

IPD025N06 数据手册

IPD025N06NATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V
IPD025N06N 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPD025N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V
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