| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 30 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 阈值电压 | 1.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 250 V |
| 上升时间 | 5.4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 76pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 360 mW |
| 下降时间 | 182 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 360 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护
Siemens Semiconductor（西门子）
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS139H6327XTSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS139 H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 mA, 250 V, 30 ohm, 10 V, -1.4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS139H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V
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