BSS670S2LH6327XT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	SOT-23-3
描述:	Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色封装（无铅）超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS670S2LH6327XT 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23-3
功耗	360 mW
上升时间	25 ns
输入电容值(Ciss)	56pF @25V(Vds)
下降时间	24 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	360 mW

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BSS670S2LH6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
高度	1 mm

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BSS670S2LH6327XT 符合标准

BSS670S2LH6327XT 概述

BSS670S2LH6327XT 数据手册

Infineon（英飞凌）

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