| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 30A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPW60R125CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPW60R125CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R125C6FKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
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