IPB016N06L3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-263
描述:	60V,180A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:	IPB016N06L3G 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IPB016N06L3G 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB016N06L3G 技术参数、封装参数

类型	描述
引脚数	7 Pin
封装	TO-263
漏源极电压(Vds)	60 V
上升时间	79 ns
下降时间	38 ns

查看数据手册 >

IPB016N06L3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
工作温度	-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IPB016N06L3G 符合标准

IPB016N06L3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.64 MByte

IPB016N06L3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB016N06L3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB016N06L3 系列 60 V 1.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-7

IPB016N06L3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀

IPB016N06L3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,180A,N沟道功率MOSFET

IPB016N06L3GXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号