BSS84PH6433XTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	SOT-23-3
描述:	Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFETInfineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS84PH6433XTMA1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-23-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	5.8 Ω
极性	P-CH
功耗	360 mW
漏源极电压(Vds)	60 V
连续漏极电流(Ids)	0.17A
上升时间	16.2 ns
输入电容值(Ciss)	19pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	360 mW
下降时间	20.5 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	360mW (Ta)

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BSS84PH6433XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2.9 mm
宽度	1.3 mm
高度	1 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS84PH6433XTMA1 符合标准

BSS84PH6433XTMA1 概述

BSS84PH6433XTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

BSS84PH6433XTMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 0.25 MByte

BSS84PH6433XTMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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