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BSZ110N08NS5
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BSZ110N08NS5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TSDSON-8
描述:80V,11mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSZ110N08NS5 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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BSZ110N08NS5 数据手册 (12 页)
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BSZ110N08NS5 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装TSDSON-8
极性N-CH
功耗50 W
漏源极电压(Vds)80 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)1000pF @40V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50000 mW
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BSZ110N08NS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1.1 mm
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BSZ110N08NS5 数据手册

BSZ110N08NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.36 MByte
BSZ110N08NS5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ110N08NS5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ110N08NS5 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ110N08 数据手册

BSZ110N08NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 80 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V
BSZ110N08NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
80V,11mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
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