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IPL65R070C7
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IPL65R070C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:VSON EP-4
描述:场效应管(MOSFET) IPL65R070C7 VSON-4(8x8)
PDF文件:IPL65R070C7 数据手册 (15 页)
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IPL65R070C7 数据手册 (15 页)
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IPL65R070C7 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装VSON EP-4
极性N-CH
功耗169 W
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)28A
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)3020pF @400V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)169000 mW
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IPL65R070C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度8 mm
宽度8 mm
高度1.10 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPL65R070C7 数据手册

IPL65R070C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.8 MByte
IPL65R070C7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPL65R070C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPL65R070C7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPL65R070C7 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.1 MByte

IPL65R070 数据手册

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晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 3.5 V
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Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPL65R070C7 VSON-4(8x8)
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