Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ST Microelectronics（意法半导体） > BUR51 Datasheet 文档
BUR51
来自 AiPCBA

BUR51 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
PDF文件:BUR51 数据手册 (4 页)原理图在1 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BUR51 数据手册 (4 页)
查看文档
或点击图片查看大图

BUR51 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流60.0 A
封装TO-3
极性NPN
功耗350 W
集电极击穿电压300 V
击穿电压(集电极-发射极)200 V
最小电流放大倍数20 @5A, 4V
额定功率(Max)350 W
查看数据手册 >

BUR51 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度200℃ (TJ)
查看数据手册 >

BUR51 数据手册

BUR51 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.04 MByte
BUR51 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.14 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet