类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
封装 | TO-220 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.5A |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
Siemens Semiconductor(西门子)
Intersil(英特矽尔)
4.5A , 500V , 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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