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CSD16323Q3C
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CSD16323Q3C 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:双路 Cool N 通道 NexFET 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16323Q3C 数据手册 (10 页)封装尺寸在6 页8 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16323Q3C 数据手册 (10 页)
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CSD16323Q3C 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
通道数2 Channel
极性N-CH
功耗3 W
阈值电压1.1 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)21A
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)1300pF @12.5V(Vds)
下降时间6.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta)
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CSD16323Q3C 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度3.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16323Q3C 数据手册

CSD16323Q3C 数据手册
TI（德州仪器）
10 页 / 0.22 MByte
CSD16323Q3C 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
3 页 / 0.29 MByte

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