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CSD18540Q5BT
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CSD18540Q5BT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
PDF文件:CSD18540Q5BT 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD18540Q5BT 数据手册 (13 页)
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CSD18540Q5BT 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0018 Ω
极性N-Channel
功耗195 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)60 V
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)4230pF @30V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.1W (Ta), 195W (Tc)
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CSD18540Q5BT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度6 mm
宽度5 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD18540Q5BT 数据手册

CSD18540Q5BT 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.44 MByte
CSD18540Q5BT 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
15 页 / 0.97 MByte
CSD18540Q5BT 产品修订记录
TI（德州仪器）
8 页 / 0.41 MByte

CSD18540Q5 数据手册

CSD18540Q5B 数据手册
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60V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET
CSD18540Q5BT 数据手册
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD18540Q5BT  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 1.9 V
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